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FCB11N60FTM

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Numero di parte FCB11N60FTM
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Scheda dati

FCB11N60FTM Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche FCB11N60FTM

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieSuperFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1490pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica FCB11N60FTM

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  • 2. How does Heisener guarantee that FCB11N60FTM is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the FCB11N60FTM. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including FCB11N60FTM on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of FCB11N60FTM products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the FCB11N60FTM price and inventory displayed accurate?
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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