Name: FDT55AN06LA0
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FDT55AN06LA0
Availability: InStock
Rating: 5 (144 reviews)

FDT55AN06LA0

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Numero di parte	FDT55AN06LA0
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Scheda dati	FDT55AN06LA0 Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche FDT55AN06LA0

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	PowerTrench?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1130pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	8.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica FDT55AN06LA0

FDT55AN06LA0 Packaging

FDT55AN06LA0 FAQ

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3. Are the FDT55AN06LA0 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 11 A, 60 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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D# FDT55AN06LA0TR-ND

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MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4

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