Name: FQB6N90TM_AM002
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FQB6N90TM_AM002
Availability: InStock
Rating: 5 (179 reviews)

FQB6N90TM_AM002

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Numero di parte	FQB6N90TM_AM002
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Scheda dati	FQB6N90TM_AM002 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche FQB6N90TM_AM002

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	QFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1880pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.13W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 2.9A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica FQB6N90TM_AM002

FQB6N90TM_AM002 Packaging

FQB6N90TM_AM002 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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