| Numero di parte | FQE10N20LCTU |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-225AA, TO-126-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.112 piece(s) |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-225AA, TO-126-3 |
| ECAD |
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| Serie | QFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 12.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126 |
| Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQE10N20LCTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQE10N20LCTU D# FQE10N20LCTU-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQE10N20LCTU D# NS-FQE10N20LCTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
8754 |
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86-755-83210559-817
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