| Numero di parte | FQPF9N15 |
|---|---|
| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 Full Pack |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.192 piece(s) |
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| Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 Full Pack |
| ECAD |
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| Serie | QFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.45A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQPF9N15 |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQPF9N15 D# FQPF9N15-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQPF9N15 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
2000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
FQPF9N15 |
Fairchild Semiconductor Corporation |
RFQ |
13569 |
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