Name: GA10JT12-247
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA10JT12-247
Availability: InStock
Rating: 5 (102 reviews)

GA10JT12-247

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	GA10JT12-247
Produttore	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	TRANS SJT 1.2KV 10A
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	3.248 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche GA10JT12-247

Produttore	GeneSiC Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 10A
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AB
Pacchetto / caso	TO-247-3

GA10JT12-247 Packaging

GA10JT12-247 FAQ

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Numero di parte

Produttore

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GA10JT12-247

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1.2KV 10A

591

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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GA10JT12-247

D# 1242-1187-ND

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

Numero di parte

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Descrizione

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GA10JT12-247

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V100m? TO-247-3

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

GA10JT12-247

D# GS0000000000005

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V100m? TO-247-3

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

GA10JT12-247

D# 08X5867

GeneSic Semiconductor Inc

SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-247AB, MOSFET Configuration:Single, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:10A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, On Resistance Rds(on):-, No. of Pins:3Pins, Product Range:- RoHS Compliant: Yes

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