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GA20JT12-263

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Numero di parte GA20JT12-263
Produttore GeneSiC Semiconductor
Descrizione TRANS SJT 1200V 45A
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche GA20JT12-263

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FET-
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3091pF @ 800V
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 20A
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

GA20JT12-263 Packaging

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Sealing
Packing
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GA20JT12-263 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GA20JT12-263 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA20JT12-263. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA20JT12-263 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA20JT12-263 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GA20JT12-263 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of GA20JT12-263 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GA20JT12-263?
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TRANS SJT 1200V 45A D2PAK

 134
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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m? TO-263-7

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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m? TO-263-7

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