Name: GT10J312(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT10J312-Q
Availability: InStock
Rating: 5 (77 reviews)

GT10J312(Q)

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Numero di parte	GT10J312(Q)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Scheda dati	GT10J312(Q) Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino	2.992 piece(s)
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Specifiche GT10J312(Q)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	10A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max	60W
Cambiare energia	-
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	400ns/400ns
Condizione di test	300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	200ns
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SM

Scheda tecnica GT10J312(Q)

GT10J312(Q) Packaging

GT10J312(Q) FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Toshiba America Electronic Components

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

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D# GT10J312(Q)-ND

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