| Numero di parte | GT60N321(Q) |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3PL |
| ECAD |
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| A magazzino | 22.140 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli |
| pacchetto | TO-3PL |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Potenza - Max | 170W |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 330ns/700ns |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-3PL |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(LH) |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GT60N321(Q) |
Toshiba America Electronic Components |
IGBT |
39 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GT60N321(Q) D# GT60N321(Q)-ND |
Toshiba America Electronic Components |
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GT60N321Q |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
36 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GT60N321(Q) D# NS-GT60N321(Q) |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
9973 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GT60N321Q |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
47 |
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