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HUF75623P3

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HUF75623P3

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Numero di parte HUF75623P3
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
Scheda dati

HUF75623P3 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche HUF75623P3

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds790pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs64 mOhm @ 22A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica HUF75623P3

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Packing
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HUF75623P3 FAQ

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  • 3. Are the HUF75623P3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of HUF75623P3?
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB - Bulk (Alt: HUF75623P3)

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0
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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

4814
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Fairchild Semiconductor Corporation

22A, 100V, 0.064ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

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