Name: HUF75623P3
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: HUF75623P3
Availability: InStock
Rating: 5 (119 reviews)

HUF75623P3

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Numero di parte	HUF75623P3
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
Scheda dati	HUF75623P3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	483.852 piece(s)
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Specifiche HUF75623P3

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	UltraFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 22A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica HUF75623P3

HUF75623P3 Packaging

HUF75623P3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

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HUF75623P3

D# HUF75623P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB - Bulk (Alt: HUF75623P3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

HUF75623P3

Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

4814

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

HUF75623P3

D# 2156-HUF75623P3-FS-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

4814

Numero di parte

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HUF75623P3

VBsemi Electronics Co Ltd

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HUF75623P3

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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HUF75623P3

Fairchild Semiconductor Corporation

22A, 100V, 0.064ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant

4814

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HUF75623P3

Fairchild Semiconductor Corporation

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