* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | IGB50N65S5ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | IGBT PRODUCTS |
| Scheda dati | |
| pacchetto | - |
| ECAD |
|
| A magazzino | 3.808 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 13 - mag 18 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli |
| pacchetto | - |
| ECAD |
|
| Serie | * |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Potenza - Max | - |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | - |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
|
SIT8209AC-G1-25S-166.600000Y | SiTIME, -20 TO 70C, 2520, 20PPM, 2.5V, 1, -, * | Visualizza |
|
|
SIT8208AC-32-33S-26.000000X | SiTIME, -20 TO 70C, 5032, 25PPM, 3.3V, 2, -, * | Visualizza |
|
|
1812J0160820GFT | Knowles Syfer, CAP CER 82PF 16V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), * | Visualizza |
 
|
SI4565ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix, MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), * | Visualizza |
|
RNC55H4642BSRE6 | Vishay Dale, RES 46.4K OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, * | Visualizza |
|
AC0201FR-074K42L | Yageo, RES SMD 4.42K OHM 1% 1/20W 0201, 0201 (0603 Metric), * | Visualizza |
|
MCR18ERTF4022 | Rohm Semiconductor, RES SMD 40.2K OHM 1% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), * | Visualizza |
|
|
SCM173000 | Amphenol PCD, CONN TERM BLK 17POS 5.08MM ANGLE, -, * | Visualizza |
|
|
5452888 | Phoenix Contact, TERM BLOCK PLUG 10POS 5.08MM, -, * | Visualizza |
|
|
DWM-07-01-G-D-200 | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, * | Visualizza |
|
|
D38999/20KF35AN | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSNG MALE 66POS PNL MT, -, * | Visualizza |
|
|
D38999/24FD97AB | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSNG MALE 12POS PNL MT, -, * | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 D# E02:0323_11639560 |
Infineon Technologies AG |
5 high speed soft switching IGBT |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 D# IGB50N65S5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor IGBT N-CH 650V 80A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IGB50N65S5ATMA1) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 D# SP001502566 |
Infineon Technologies AG |
Transistor IGBT N-CH 650V 80A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001502566) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 D# IGB50N65S5ATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3 |
843 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 D# 2895569 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
842 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1160 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 D# 726-IGB50N65S5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS RoHS: Compliant
|
781 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 D# 62AC6978 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263, DC Collector Current:80A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V, Power Dissipation Pd:270W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, Transistor Case Style:TO-263, No. of Pins:3Pins, RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
842 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IGB50N65S5 - TRENCHSTOPT High Speed Soft Switching IGBT RoHS: Compliant
|
1000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
92 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGB50N65S5ATMA1 D# 2895569 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
842 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa IGB50N65S5ATMA1?
+86-755-83210559-827
Scansiona per visualizzare questa pagina
