Name: IPB036N12N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB036N12N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (172 reviews)

IPB036N12N3 G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	IPB036N12N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Scheda dati	IPB036N12N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
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Specifiche IPB036N12N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	211nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13800pF @ 60V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7
Pacchetto / caso	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Scheda tecnica IPB036N12N3 G

IPB036N12N3 G Packaging

IPB036N12N3 G FAQ

1. How to order IPB036N12N3 G on Heisener?

Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
2. How does Heisener guarantee that IPB036N12N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB036N12N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB036N12N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB036N12N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB036N12N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB036N12N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB036N12N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB036N12N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB036N12N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB036N12N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# V36:1790_06378504

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB036N12N3GATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# SP000675204

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 (Alt: SP000675204)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 120V, 180A, TO263-7

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# C1S322000438099

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

1880

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3 G

Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2016

145

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# IPB036N12N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

3032

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

5060

IPB036N12N3 G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

185

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# 2212819

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 120V, 180A, TO263-7

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

34800

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

34800

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

4000

IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

88720

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# 726-IPB036N12N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

361

IPB036N12N3 G

D# 726-IPB036N12N3GXT

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# 47W3463

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 120V, 180A, TO263-7, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:120V, Continuous Drain Current Id:180A, On Resistance Rds(on):0.0029ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Bulk

181

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3 G

D# NS-IPB036N12N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

8175

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

180 A, 120 V, 0.0036 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-263

116

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# 7545428

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 180 A, 120 V, 7-Pin D2PAK Infineon IPB036N12N3GATMA1, EA

Min Qty: 1

Container: Bulk

101

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trench >=100V

RoHS: Compliant

800

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

4276

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

30016

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

4015

IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

88705

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

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280

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# 43696269

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

IPB036N12N3 G

D# 36530129

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3 G TR

Infineon Technologies AG

RFQ

14488

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

RFQ

6290

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOS?3 Power-Transistor

657

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB036N12N3GATMA1

D# 2212819

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 120V, 180A, TO263-7

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

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