* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| ECAD |
|
| A magazzino | 5.248 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 15 - mag 20 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 160µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7 |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
|
SIT8209AI-G1-18S-133.330000Y | SiTIME, -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 1, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
C327C393FAG5TA | KEMET, CAP CER 0.039UF 250V C0G RADIAL, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
B43501A0337M007 | EPCOS (TDK), CAP ALUM 330UF 20% 420V SNAP, Radial, Can - Snap-In, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
SS22F16G5 | C&K, SWITCH SLIDE, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
RWR78N29R4FRBSL | Vishay Dale, RES 29.4 OHM 10W 1% WW AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
|
RR0816P-332-B-T5 | Susumu, RES SMD 3.3K OHM 0.1% 1/16W 0603, 0603 (1608 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
|
0015800229 | Molex, LLC, CONN HEADER 22POS VERT GOLD T/H, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
LJT00RT-17-35S | Amphenol Aerospace Operations, LJT 55C 55#22D SKT RECP, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
EEM15DRSN-S664 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 30POS 0.156, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
51740-11102003CALF | Amphenol FCI, V/T REC POWERBLADE, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
VI-BT1-IV | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W, Full Brick, OptiMOS? | Visualizza |
 
|
ISL83080EIBZ | Renesas Electronics America, IC TXRX RS485/422 5V ESD 14-S, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 D# V36:1790_06377394 |
Infineon Technologies AG |
MV Power MOSFET |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 D# IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB039N10N3GE8187ATMA1) RoHS: Not Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 D# IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa IPB039N10N3GE8187ATMA1?
86-755-83210559-817
Scansiona per visualizzare questa pagina
