Name: IPB065N03L G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB065N03L-G
Availability: InStock
Rating: 5 (125 reviews)

IPB065N03L G

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Numero di parte	IPB065N03L G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
Scheda dati	IPB065N03L G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB065N03L G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB065N03L G

IPB065N03L G Packaging

IPB065N03L G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB065N03L G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB065N03L G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB065N03L G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB065N03L G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB065N03L G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB065N03L G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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6. What is the process for return or replacement of IPB065N03L G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB065N03L G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB065N03L G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB065N03L G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IPB065N03LGATMA1

D# IPB065N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB065N03LGATMA1)

Numero di parte

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IPB065N03LGATMA1

D# 2156-IPB065N03LGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

332

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IPB065N03LGATMA1

D# 2212897

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 50A, TO-263-3

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IPB065N03LGATMA1

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IPB065N03L G

D# 726-IPB065N03LG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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1810

IPB065N03LGATMA1

D# 726-IPB065N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

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Descrizione

Azione

IPB065N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

IPB065N03 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

332

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IPB065N03LGATMA1

D# 2212897

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 50A, TO-263-3

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