| Numero di parte | IPB081N06L3 G |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 390.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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B32564J3685K000 | EPCOS (TDK), CAP FILM 6.8UF 10% 250VDC 2DIP, 2-DIP, OptiMOS? | Visualizza |
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VJ1825A121KBBAT4X | Vishay Vitramon, CAP CER 120PF 100V NP0 1825, 1825 (4564 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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CR2DARL-500 | CR Magnetics Inc., TRANSFORMR ANSI METERING CURRENT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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SN74LVC1G38DBVR | Texas Instruments, IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT-23-5, SC-74A, SOT-753, OptiMOS? | Visualizza |
 
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MAX321CUA+T | Maxim Integrated, IC SWITCH DUAL SPST 8UMAX, 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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ADRF6510-EVALZ | Analog Devices Inc., EVAL BOARD FILTER/VGA ADRF6510, -, OptiMOS? | Visualizza |
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H895K3BZA | TE Connectivity Passive Product, RES 95.3K OHM 1/4W 0.1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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RNF18FTE12K4 | Stackpole Electronics Inc., RES 12.4K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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RCS08055R76FKEA | Vishay Dale, RES SMD 5.76 OHM 1% 0.4W 0805, 0805 (2012 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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ESQT-105-03-L-D-385 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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C48-16R20-16S8-102 | Cinch Connectivity Solutions, CONN PLUG FMALE 16POS GOLD CRIMP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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RYM12DRMT | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 D# V36:1790_06384674 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GXT D# IPB081N06L3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB081N06L3GATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 D# C1S322000279928 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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478 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 D# IPB081N06L3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 D# 1775548 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1160 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3 G D# 726-IPB081N06L3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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967 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 D# 60R2670 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 50A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:50A, On Resistance Rds(on):0.0067ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 D# 8269525P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1, RL Min Qty: 25
Container: Reel
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575 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
66 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 D# 43720160 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB081N06L3GATMA1 D# 1775548 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
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