Name: IPB090N06N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB090N06N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (179 reviews)

IPB090N06N3 G

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Numero di parte	IPB090N06N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Scheda dati	IPB090N06N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB090N06N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 34µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB090N06N3 G

IPB090N06N3 G Packaging

IPB090N06N3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB090N06N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB090N06N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB090N06N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB090N06N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB090N06N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB090N06N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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6. What is the process for return or replacement of IPB090N06N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB090N06N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB090N06N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# V72:2272_06384657

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3 G

D# IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB090N06N3G)

IPB090N06N3GXT

D# IPB090N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB090N06N3GATMA1)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# SP000398042

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000398042)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# C1S322000088405

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 5

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3G

VBsemi Electronics Co Ltd

TO263 MOSFET RoHS

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# IPB090N06N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3 G

VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

1030

IPB090N06N3G

VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

1003

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# 1775550

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

40345

IPB090N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1053

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3G

D# C725060

VBsemi Electronics Co Ltd

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

4000

IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# 60R2671

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:50A, On Resistance Rds(on):0.007ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Bulk

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3 G

D# NS-IPB090N06N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

3689

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Produttore

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IPB090N06N3GATMA1

D# 8269529P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB090N06N3GATMA1, RL

Min Qty: 25

Container: Reel

Numero di parte

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IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

IPB090N06 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

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IPB090N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

802

IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

1516

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IPB090N06N3 G

Infineon Technologies AG

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4015

IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

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IPB090N06N3 G

Infineon Technologies AG

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3989

IPB090N06N3G

Infineon Technologies AG

shipping today

45635

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB090N06N3GATMA1

D# 27089772

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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