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| Numero di parte | IPB120N04S401ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.584 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 21 - mag 26 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SIT8208AC-32-28S-26.000000T | SiTIME, -20 TO 70C, 5032, 25PPM, 2.8V, 2, -, OptiMOS? | Visualizza |
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1210J5000332GCR | Knowles Syfer, CAP CER 3300PF 500V C0G/NP0 1210, 1210 (3225 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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0805Y1002P20CFR | Knowles Syfer, CAP CER 2.2PF 100V C0G/NP0 0805, 0805 (2012 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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UAQ2G330MHD3 | Nichicon, CAP ALUM 33UF 20% 400V RADIAL, Radial, Can, OptiMOS? | Visualizza |
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LD1084D2M18R | STMicroelectronics, IC REG LINEAR 1.8V 5A D2PAK-3, TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA, OptiMOS? | Visualizza |
 
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MIC5206YMM-TR | Microchip Technology, IC REG LIN POS ADJ 150MA 8MSOP, 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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NSCDRRN005PDUNV | Honeywell Sensing and Productivity Solutions, SENSOR PRESS DIFF 5PSI, 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side, OptiMOS? | Visualizza |
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CRL1206-JW-R430ELF | Bourns Inc., RES SMD 0.43 OHM 5% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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0066-3-17-01-30-27-02-0 | Mill-Max Manufacturing Corp., CONN PIN RCPT .015-.025 PRESSFIT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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77313-122-24 | Amphenol FCI, HDR STR DR .100 DP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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890-18-019-20-001101 | Preci-Dip, CONN HDR 19POS 2.54MM T/H R/A, -, OptiMOS? | Visualizza |
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8D017Z08AA | Souriau, 8D 8C 8#16 PIN RECP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 D# V72:2272_06383031 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 D# IPB120N04S401ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB120N04S401ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 D# SP000705700 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000705700) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 D# IPB120N04S401ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 D# 2781067RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 40 V 1.5 mOhm 135 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1160 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 D# 34AC1654 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.00135ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPB120N04 - 20V-40V N-Channel Automotive MOSFET RoHS: Compliant
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64 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
384 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB120N04S401ATMA1 D# 2781067 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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