Name: IPB180N06S4H1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N06S4H1ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

IPB180N06S4H1ATMA1

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Numero di parte	IPB180N06S4H1ATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Scheda dati	IPB180N06S4H1ATMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
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Specifiche IPB180N06S4H1ATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	21900pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7-3
Pacchetto / caso	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Scheda tecnica IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1 Packaging

IPB180N06S4H1ATMA1 FAQ

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3. Are the IPB180N06S4H1ATMA1 price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB180N06S4H1ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB180N06S4H1ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB180N06S4H1ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPB180N06S4H1ATMA1 pin diagram, IPB180N06S4H1ATMA1 datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB180N06S4H1ATMA1

D# IPB180N06S4H1ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 - Bulk (Alt: IPB180N06S4H1ATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB180N06S4H1ATMA1

D# 2156-IPB180N06S4H1ATMA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB180N06S4H1ATMA1

D# 2443385

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 60V, 180A, TO-263-7

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB180N06S4H1ATMA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB180N06S4H1ATMA1

Infineon Technologies AG

IPB180N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB180N06S4H1ATMA1

D# 2443385RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 60V, 180A, TO-263-7

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

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