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IPB230N06L3GATMA1

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Numero di parte IPB230N06L3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
Scheda dati

IPB230N06L3GATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB230N06L3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1 Packaging

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Packing
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IPB230N06L3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB230N06L3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPB230N06L3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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