Name: IPB60R120C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R120C7ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (144 reviews)

IPB60R120C7ATMA1

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Numero di parte	IPB60R120C7ATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 600V TO263-3
Scheda dati	IPB60R120C7ATMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
ECAD
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Specifiche IPB60R120C7ATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
ECAD
Serie	CoolMOS? C7
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 390µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 400V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 7.8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3
Pacchetto / caso	TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Scheda tecnica IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1 Packaging

IPB60R120C7ATMA1 FAQ

1. How to order IPB60R120C7ATMA1 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that IPB60R120C7ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPB60R120C7ATMA1 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB60R120C7ATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
6. What is the process for return or replacement of IPB60R120C7ATMA1?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB60R120C7ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB60R120C7ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB60R120C7ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPB60R120C7ATMA1 pin diagram, IPB60R120C7ATMA1 datasheet?

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

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IPB60R120C7ATMA1

D# IPB60R120C7ATMA1

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB60R120C7ATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

D# SP001385048

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001385048)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

D# IPB60R120C7ATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

922

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

D# 2986357RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 19A, 92W, TO-263

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2320

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

D# 726-IPB60R120C7ATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_NEW

RoHS: Compliant

830

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

D# XSKDRABS0033126

Infineon Technologies AG

PG-TO263-3HIGH POWER_NEW

2000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

D# 93AC7105

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 19A, 92W, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:19A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.103ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

892

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

Infineon Technologies AG

IPB60R120 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

1705

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2016

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB60R120C7ATMA1

D# 2986357

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 19A, 92W, TO-263

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

892

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