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| Numero di parte | IPD050N03LGBTMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.064 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD050N03LGBTMA1 D# IPD050N03LGBTMA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD050N03LGBTMA1 D# 7545452 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD050N03LGBTMA1, TA Min Qty: 5
Container: Ammo Pack
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