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| Numero di parte | IPD060N03LGBTMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.424 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 10 - mag 15 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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DIN-096RPC-S1-FJ | 3M, DIN/96P/R-HDR, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 D# V36:1790_06390994 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 D# IPD060N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD060N03LGATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 D# SP000680632 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP000680632) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG | 3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 D# IPD060N03LGATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 D# 2725846 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 50A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
88720 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 D# 13AC9039 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 50A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.005ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5880 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
88705 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD060N03LGATMA1 D# 2725846 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 50A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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