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IPD068P03L3GATMA1

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IPD068P03L3GATMA1

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Numero di parte IPD068P03L3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Scheda dati

IPD068P03L3GATMA1 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD068P03L3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7720pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8 mOhm @ 70A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD068P03L3GATMA1

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IPD068P03L3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD068P03L3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD068P03L3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD068P03L3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD068P03L3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD068P03L3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD068P03L3GATMA1?
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    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# V72:2272_06384303

 Infineon Technologies AG

Single P-Channel Power Transistor

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# 50Y2023

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin TO-252 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 50Y2023)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# SP001127838

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001127838)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# C1S322000280128

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
 1434
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

 Infineon Technologies AG

P-Channel -30V 70A 2V @ 150uA 6.8mohms @ 70A,10V 100W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

 1645
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# IPD068P03L3GATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

 1881
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# 2480818

 Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 3851
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Single P-Channel 30 V 6.8 mOhm 68 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-252-3

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 20300
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

 88720
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# 726-IPD068P03L3GATMA

 Infineon Technologies AG

MOSFET TRENCH <= 40V

RoHS: Compliant
 4773
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# XSKDRABS0030194

 Infineon Technologies AG

TO252-3/SMALL SIGNAL+P-CH

 15000
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IPD068P03L3GATMA1

D# 50Y2023

 Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CH, -30V, -70A, 100W, TO-252, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:70A, On Resistance Rds(on):0.005ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 362

IPD068P03L3GATMA1.

D# 27AC6723

 Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:70A, On Resistance Rds(on):0.005ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 17516
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

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IN stock Immediate delivery

 88705
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D# 43705302

 Infineon Technologies AG

Single P-Channel Power Transistor

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD068P03L3GATMA1

D# 2480818

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MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3

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Min Qty: 1
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