Name: IPD30N06S4L23ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S4L23ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (190 reviews)

IPD30N06S4L23ATMA1

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Numero di parte	IPD30N06S4L23ATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Scheda dati	IPD30N06S4L23ATMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD30N06S4L23ATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1560pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1 Packaging

IPD30N06S4L23ATMA1 FAQ

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3. Are the IPD30N06S4L23ATMA1 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPD30N06S4L23ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPD30N06S4L23ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD30N06S4L23ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPD30N06S4L23ATMA1 pin diagram, IPD30N06S4L23ATMA1 datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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IPD30N06S4L23ATMA1

D# IPD30N06S4L23ATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 - Bulk (Alt: IPD30N06S4L23ATMA1)

Numero di parte

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IPD30N06S4L23ATMA1

D# 2156-IPD30N06S4L23ATMA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

409

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IPD30N06S4L23ATMA1

Rochester Electronics LLC

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6854

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Descrizione

Azione

IPD30N06S4L23ATMA1

D# 726-IPD30N06S4L23XT

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

RoHS: Compliant

1190

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Produttore

Descrizione

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IPD30N06S4L23ATMA1

Infineon Technologies AG

IPD30N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant

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