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| Numero di parte | IPD60R2K1CEAUMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.216 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 21 - mag 26 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? CE |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 760mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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ECX-P27BN-12.800 | ECS Inc., OSC XO 12.8000MHZ LVPECL SMD, 6-SMD, No Lead, CoolMOS? CE | Visualizza |
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VJ0805D271MLXAT | Vishay Vitramon, CAP CER 270PF 25V NP0 0805, 0805 (2012 Metric), CoolMOS? CE | Visualizza |
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CGA3E2C0G1H561J080AD | TDK Corporation, CAP CER 560PF 50V C0G 0603, 0603 (1608 Metric), CoolMOS? CE | Visualizza |
 
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DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor, TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F, SC-85, CoolMOS? CE | Visualizza |
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AT90USB646-MUR | Microchip Technology, IC MCU 8BIT 64KB FLASH 64QFN, 64-VFQFN Exposed Pad, CoolMOS? CE | Visualizza |
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8060437500 | Dialight, LED PNL T3 1/4 PRESS-TO-TEST CLR, -, CoolMOS? CE | Visualizza |
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P51-300-G-R-I12-4.5V-000-000 | SSI Technologies Inc, SENSOR 300PSI M12-1.0 6G .5-4.5V, Cylinder, CoolMOS? CE | Visualizza |
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1702026 | Phoenix Contact, TERM BLOCK 1POS 45DEG PCB, -, CoolMOS? CE | Visualizza |
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1839746 | Phoenix Contact, TERM BLOCK HDR 10POS 3.81MM, -, CoolMOS? CE | Visualizza |
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D38999/20FD5AA | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSNG MALE 5POS PNL MNT, -, CoolMOS? CE | Visualizza |
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V375B5H200BF | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 5V 200W, 9-DIP Module, CoolMOS? CE | Visualizza |
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EP3C40U484C6 | Intel, IC FPGA 331 I/O 484UBGA, 484-FBGA, CoolMOS? CE | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 D# V72:2272_13982028 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 D# IPD60R2K1CEAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD60R2K1CEAUMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 D# SP001396904 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001396904) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 D# IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 |
2490 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
9260 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 D# 2781168 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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1601 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 600 V 2.1 Ohm 6.7 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-252-3 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 D# 34AC1677 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:3.7A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):1.8ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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1601 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
4206 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
5015 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD60R2K1CEAUMA1 D# 2781168 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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1601 |
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