Name: IPD60R800CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R800CEATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (94 reviews)

IPD60R800CEATMA1

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Numero di parte	IPD60R800CEATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Scheda dati	IPD60R800CEATMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino	6.352 piece(s)
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Specifiche IPD60R800CEATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	CoolMOS? CE
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 170µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	373pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD60R800CEATMA1

IPD60R800CEATMA1 Packaging

IPD60R800CEATMA1 FAQ

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3. Are the IPD60R800CEATMA1 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPD60R800CEATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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6. What is the process for return or replacement of IPD60R800CEATMA1?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPD60R800CEATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPD60R800CEATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD60R800CEATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPD60R800CEATMA1 pin diagram, IPD60R800CEATMA1 datasheet?

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD60R800CEATMA1

D# IPD60R800CEATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 5.6A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD60R800CEATMA1)

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IPD60R800CEATMA1

D# 2156-IPD60R800CEATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3

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IPD60R800CEATMA1

Rochester Electronics LLC

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IPD60R800CEATMA1

Infineon Technologies AG

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