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| Numero di parte | IPD90P03P4L04ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 41.982 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11300pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | +5V, -16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 90A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT3821AC-2D3-33EZ125.000000Y | SiTIME, OSC VCXO 125.0000MHZ LVDS SMD, 6-SMD, No Lead, OptiMOS? | Visualizza |
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195D155X9016S2T | Vishay Sprague, CAP TANT 1.5UF 16V 10% 1507, 1507 (3718 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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VJ0402D390JLAAC | Vishay Vitramon, CAP CER 39PF 50V C0G/NP0 0402, 0402 (1005 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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MC908QY8VDWE | NXP, IC MCU 8BIT 8KB FLASH 16SOIC, 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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RWR80S3300BSS73 | Vishay Dale, RES 330 OHM 2W 0.1% WW AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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Y1121290R000T9R | Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group), RES SMD 290OHM 0.01% 1/4W J LEAD, 2512 J-Lead, OptiMOS? | Visualizza |
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RG1005P-2670-D-T10 | Susumu, RES SMD 267 OHM 0.5% 1/16W 0402, 0402 (1005 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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CTX210409TR-R | Eaton, POWER INDUCTOR, -, OptiMOS? | Visualizza |
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LCDX450-12-6 | Panduit Corp, CONN TERM RECT TONG 450 MCM #1/2, -, OptiMOS? | Visualizza |
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0039302035 | Molex, LLC, CONN HEADER 3POS 4.2MM VERT TIN, -, OptiMOS? | Visualizza |
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D38999/20GA35PA | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT 6POS WALL MNT W/PINS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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GBC28DRXH-S734 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 56POS 0.100, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 D# V72:2272_06383978 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L-04 D# IPD90P03P4L04ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD90P03P4L04ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
P-Channel 30V 90A(Tc) 2V @ 253uA 4.1mohms @ 90A,10V 137W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS |
1831 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 D# IPD90P03P4L04ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 D# 2432731 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P CH, -30V, -90A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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395 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single P-Channel 30 V 4.1 mOhm 125 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-252-3-11 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3517 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 D# C148284 |
Infineon Technologies AG | 1831 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 D# 79X1438 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -30V, TO-252- 3, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:90A, On Resistance Rds(on):0.0033ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 D# 7533033P |
Infineon Technologies AG |
P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD90P03P4L04ATMA1, RL Min Qty: 5
Container: Reel
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200 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2516 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD90P03P4L04ATMA1 D# 2432731RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P CH, -30V, -90A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
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86-755-83210559 x831
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