Name: IPG20N04S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N04S412ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (141 reviews)

IPG20N04S412ATMA1

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Numero di parte	IPG20N04S412ATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET 2N-CH 8TDSON
Scheda dati	IPG20N04S412ATMA1 Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	3.664 piece(s)
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Specifiche IPG20N04S412ATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1470pF @ 25V
Potenza - Max	41W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8-4

Scheda tecnica IPG20N04S412ATMA1

IPG20N04S412ATMA1 Packaging

IPG20N04S412ATMA1 FAQ

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3. Are the IPG20N04S412ATMA1 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S412ATMA1

D# V72:2272_06384636

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S4-12

D# IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: IPG20N04S412ATMA1)

RoHS: Compliant

IPG20N04S412ATMA1

D# 13AC9055

Infineon Technologies AG

- Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 13AC9055)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S412ATMA1

D# 448-IPG20N04S412ATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

4004

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S412ATMA1

D# 2725853

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, TDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S4-12

D# 726-IPG20N04S4-12

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

RoHS: Compliant

6654

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S412ATMA1

D# 13AC9055

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 40V, 20A, 175DEG C, 41W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:40V, Continuous Drain Current Id:20A, On Resistance Rds(on):0.0111ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S412ATMA1

D# 8259115

Infineon Technologies AG

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin TDSON Infineon IPG20N04S412ATMA1, PK

Min Qty: 20

Container: Package

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

14439

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPG20N04S412ATMA1

D# 2725853

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, TDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 5

Container: Cut Tape

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