Name: IPG20N06S3L-35
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S3L-35
Availability: InStock
Rating: 5 (167 reviews)

IPG20N06S3L-35

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Numero di parte	IPG20N06S3L-35
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
Scheda dati	IPG20N06S3L-35 Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche IPG20N06S3L-35

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1730pF @ 25V
Potenza - Max	30W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8-4

Scheda tecnica IPG20N06S3L-35

IPG20N06S3L-35 Packaging

IPG20N06S3L-35 FAQ

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3. Are the IPG20N06S3L-35 price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 55V 20A 8-Pin TDSON T/R - Bulk (Alt: IPG20N06S3L-35)

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D# IPG20N06S3L-35-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

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D# NS-IPG20N06S3L-35

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OptlMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

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