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| Numero di parte | IPI60R199CPXKSA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.136 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI60R199CPXKSA1 D# IPI60R199CPXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin TO-262 Tube - Rail/Tube (Alt: IPI60R199CPXKSA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI60R199CPXKSA1 D# IPI60R199CPXKSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPI60R199CPXKSA1 |
Infineon Technologies AG |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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+86-755-83210559 ext. 813
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