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| Numero di parte | IPL60R1K5C6SATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 8TSON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.496 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | giu 3 - giu 8 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? C6 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 26.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Thin-PAK (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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VJ0805D181GXXAT | Vishay Vitramon, CAP CER 180PF 25V C0G/NP0 0805, 0805 (2012 Metric), CoolMOS? C6 | Visualizza |
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0805J5003P90CFR | Knowles Syfer, CAP CER 3.9PF 500V C0G/NP0 0805, 0805 (2012 Metric), CoolMOS? C6 | Visualizza |
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FA24X8R2A473KRU06 | TDK Corporation, CAP CER 0.047UF 100V X8R RADIAL, Radial, CoolMOS? C6 | Visualizza |
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EET-UQ2W221HA | Panasonic Electronic Components, CAP ALUM 220UF 20% 450V SNAP, Radial, Can - Snap-In, CoolMOS? C6 | Visualizza |
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SMB10J28CA R5G | TSC America Inc., DIODE, TVS, BIDIRECTIONAL, 1000W, DO-214AA, SMB, CoolMOS? C6 | Visualizza |
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HMC364S8GE | Analog Devices Inc., IC DIVIDER DC-13GHZ BY-2 8-SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), CoolMOS? C6 | Visualizza |
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Y162621K0000T0W | Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group), RES SMD 21K OHM 0.01% 0.3W 1506, 1506, CoolMOS? C6 | Visualizza |
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M55342K02B40B2RT5 | Vishay Dale, RES SMD 40.2K OHM 0.1% 1/8W 0505, 0505 (1313 Metric), CoolMOS? C6 | Visualizza |
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RCS2012F1824CS | Samsung, RESISTOR 0805 1.82MOHM 0.125W, -, CoolMOS? C6 | Visualizza |
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OQ1455000000G | Amphenol Anytek, TERM BLOCK HDR 14POS VERT 5.08MM, -, CoolMOS? C6 | Visualizza |
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TXR40AB00-1614BI | TE Connectivity Raychem Cable Protection, CONN BACKSHELL ADPT SZ 17E OLIVE, -, CoolMOS? C6 | Visualizza |
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VE-2WN-CY-F4 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W, Full Brick, CoolMOS? C6 | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# V72:2272_06384719 |
Infineon Technologies AG |
IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# IPL60R1K5C6SATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 3A 5-Pin TPAK T/R - Tape and Reel (Alt: IPL60R1K5C6SATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# SP001163010 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 650V 3A 5-Pin TPAK T/R (Alt: SP001163010) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# IPL60R1K5C6SATMA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# 2860247RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3A, SMD RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
4974 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# 726-IPL60R1K5C6SATMA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6 RoHS: Compliant
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9387 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# 57AC2279 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3A, SMD, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:3A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):1.35ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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3684 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
4383 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# 26195555 |
Infineon Technologies AG |
IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPL60R1K5C6SATMA1 D# 2860247 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3A, SMD RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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3784 |
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+86-755-83210135-818
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