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| Numero di parte | IPN60R2K1CEATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-223-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 2.080 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 17 - mag 22 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-223-3 |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 800mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
| Pacchetto / caso | SOT-223-3 |
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1825Y6300392JXR | Knowles Syfer, CAP CER 1825, 1825 (4564 Metric), CoolMOS? | Visualizza |
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1206Y1001P20CAR | Knowles Syfer, CAP CER 1206, -, CoolMOS? | Visualizza |
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S-8209AAQ-T8T1U | SII Semiconductor Corporation, IC BATT MFUNC LI-ION 8TSSOP, 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), CoolMOS? | Visualizza |
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SLM-150 | Bivar Inc., LED MT SR VERT, -, CoolMOS? | Visualizza |
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RWR81S4530BSRSL | Vishay Dale, RES 453 OHM 1W 0.1% WW AXIAL, Axial, CoolMOS? | Visualizza |
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RWR74N20R0FSBSL | Vishay Dale, RES 20 OHM 5W 1% WW AXIAL, Axial, CoolMOS? | Visualizza |
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431701-05-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRIP 5CIRC 0.438", -, CoolMOS? | Visualizza |
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PLCC-028-T-N | Samtec Inc., CONN SOCKET PLCC 28POS TIN, -, CoolMOS? | Visualizza |
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929815-01-30-EU | 3M, CONN HEADER 60POS DL .100" GOLD, -, CoolMOS? | Visualizza |
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8T716F35BN | Souriau, 8T 55C 55#22D SKT J/N, -, CoolMOS? | Visualizza |
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CA06COM-E14S-1S-B-03-F0 | ITT Cannon, LLC, CONN PLUG HSNG FMALE 3POS INLINE, -, CoolMOS? | Visualizza |
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MAX308C/D | Maxim Integrated, INTEGRATED CIRCUIT, -, CoolMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# V72:2272_14663636 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# 97Y1834 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N 650V 3.7A 3-Pin SOT-223 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 97Y1834) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# SP001434886 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N 650V 3.7A 3-Pin SOT-223 T/R (Alt: SP001434886) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# C1S322000601677 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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2415 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# IPN60R2K1CEATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 |
920 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# 2617449RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, SOT-223-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3480 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# 726-IPN60R2K1CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET CONSUMER RoHS: Compliant
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10903 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# 97Y1834 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, SOT-223-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:600V, Continuous Drain Current Id:3.7A, On Resistance Rds(on):1.89ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1970 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# 1300919 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 3.7 A, 650 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IPN60R2K1CEATMA1, PK Min Qty: 25
Container: Package
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2825 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPN60R2K1 - Small Signal Field-Effect Transistor, 600V, N-Channel MOSFET RoHS: Compliant
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931 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
7966 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# 45122250 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPN60R2K1CEATMA1 D# 2617449 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, SOT-223-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2225 |
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