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| Numero di parte | IPP057N06N3GHKSA1 |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.672 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 58µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP057N06N3GHKSA1 |
Infineon Technologies AG |
N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP057N06N3GHKSA1 D# IPP057N06N3GHKSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 |
0 |
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