Name: IPP60R190E6
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP60R190E6
Availability: InStock
Rating: 5 (118 reviews)

IPP60R190E6

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Numero di parte	IPP60R190E6
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
Scheda dati	IPP60R190E6 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP60R190E6

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	CoolMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP60R190E6

IPP60R190E6 Packaging

IPP60R190E6 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPP60R190E6 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPP60R190E6 price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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6. What is the process for return or replacement of IPP60R190E6?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP60R190E6 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP60R190E6 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IPP60R190E6XKSA1

D# V99:2348_06377993

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant

Numero di parte

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IPP60R190E6

D# IPP60R190E6XKSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: IPP60R190E6XKSA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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IPP60R190E6

D# SP000797378

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: SP000797378)

Numero di parte

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IPP60R190E6

Infineon Technologies AG

INFIPP60R190E 6 SP000797378_COOL MOS_TU_

2500

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IPP60R190E6XKSA1

D# IPP60R190E6XKSA1-ND

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MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220-3

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

27144

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IPP60R190E6

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N-Channel 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

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D# 726-IPP60R190E6

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MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6

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368

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700

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IPP60R190E6

D# NS-IPP60R190E6

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3481

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IPP60R190E6

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

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D# TMOSP10356

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N-CH 600V 20A 190mOhm TO220-3

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IPP60R190E6XKSA1

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IPP60R190E6XKSA1

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MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220-3

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