Name: IPP80N04S2H4AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP80N04S2H4AKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (183 reviews)

IPP80N04S2H4AKSA1

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Numero di parte	IPP80N04S2H4AKSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Scheda dati	IPP80N04S2H4AKSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP80N04S2H4AKSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	148nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP80N04S2H4AKSA1

IPP80N04S2H4AKSA1 Packaging

IPP80N04S2H4AKSA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP80N04S2H4AKSA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP80N04S2H4AKSA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP80N04S2H4AKSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPP80N04S2H4AKSA1

D# IPP80N04S2H4AKSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

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