| Numero di parte | IRF1407STRRPBF |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.528 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | HEXFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 78A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF1407STRRPBF |
International Rectifier |
Min Qty 800 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF1407STRRPBF D# IRF1407STRRPBF-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF1407STRRPBF D# 942-IRF1407STRRPBF |
Infineon Technologies AG |
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC RoHS: Compliant
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253 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF1407STRRPBF D# NS-IRF1407STRRPBF |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
1498 |
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86-755-83210559-841
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