| Numero di parte | IRF3711LPBF |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.584 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Serie | HEXFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2980pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF3711LPBF |
International Rectifier |
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF3711LPBF D# IRF3711LPBF-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 20V 110A TO262 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF3711LPBF D# NS-IRF3711LPBF |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
6486 |
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