Name: IRF634PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF634PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (180 reviews)

IRF634PBF

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Numero di parte	IRF634PBF
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
Scheda dati	IRF634PBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRF634PBF

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRF634PBF

IRF634PBF Packaging

IRF634PBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRF634PBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: 63J7347)

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Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF634PBF)

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 250V, 8.1A, 74W, TO220A

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N CHANNEL MOSFET, 250V, 8.1A TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:250V, Continuous Drain Current Id:8.1A, On Resistance Rds(on):0.45ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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