Name: IRF7779L2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7779L2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

IRF7779L2TR1PBF

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Numero di parte	IRF7779L2TR1PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Scheda dati	IRF7779L2TR1PBF Scheda dati
pacchetto	DirectFET? Isometric L8
ECAD
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Specifiche IRF7779L2TR1PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	DirectFET? Isometric L8
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	375A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET L8
Pacchetto / caso	DirectFET? Isometric L8

Scheda tecnica IRF7779L2TR1PBF

IRF7779L2TR1PBF Packaging

IRF7779L2TR1PBF FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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