Name: IRF7807VD1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7807VD1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (101 reviews)

IRF7807VD1PBF

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Numero di parte	IRF7807VD1PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Scheda dati	IRF7807VD1PBF Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7807VD1PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	FETKY?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF7807VD1PBF

IRF7807VD1PBF Packaging

IRF7807VD1PBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRF7807VD1PBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IRF7807VD1PBF price and inventory displayed accurate?

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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30V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 8.3A, 2.5W, SO8

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D# IRF7807VD1PBFTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

IRF7807VD1PBF

D# IRF7807VD1PBF-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

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