Name: IRF7807VD2TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7807VD2TRPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (161 reviews)

IRF7807VD2TRPBF

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Numero di parte	IRF7807VD2TRPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Scheda dati	IRF7807VD2TRPBF Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7807VD2TRPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	FETKY?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF7807VD2TRPBF

IRF7807VD2TRPBF Packaging

IRF7807VD2TRPBF FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V72:2272_17751965

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

RoHS: Compliant

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 8.3A, 2.5W, SO8

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IRF7807VD2TRPBF

D# IRF7807VD2PBFTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

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VBsemi Electronics Co Ltd

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D# 26196771

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R

RoHS: Compliant

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