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IRF7811AVTRPBF

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IRF7811AVTRPBF

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Numero di parte IRF7811AVTRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Scheda dati

IRF7811AVTRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7811AVTRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1801pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 15A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF7811AVTRPBF

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7811AVTRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRF7811AVTRPBF price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SP001566386)

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1059
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SMALL SIGNAL FIELDCHANNEL, SILIC

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MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO

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MOSFET, N-CH, 30V, 10.8A, SOIC

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MOSFET MOSFT 30V 14A 14mOhm 17nC

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30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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