Name: IRF8113GTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8113GTRPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (131 reviews)

IRF8113GTRPBF

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Numero di parte	IRF8113GTRPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Scheda dati	IRF8113GTRPBF Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF8113GTRPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2910pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF8113GTRPBF

IRF8113GTRPBF Packaging

IRF8113GTRPBF FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRF8113GTRPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRF8113GTRPBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IRF8113GTRPBFTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

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