Name: IRF8513PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8513PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (183 reviews)

IRF8513PBF

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Numero di parte	IRF8513PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Scheda dati	IRF8513PBF Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF8513PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	766pF @ 15V
Potenza - Max	1.5W, 2.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica IRF8513PBF

IRF8513PBF Packaging

IRF8513PBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRF8513PBF is from the original manufacturer or authorized agents?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRF8513PBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRF8513PBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 8A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:8A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):15.5mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V , RoHS Compliant: Yes

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