Name: IRFB59N10DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB59N10DPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (162 reviews)

IRFB59N10DPBF

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Numero di parte	IRFB59N10DPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Scheda dati	IRFB59N10DPBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB59N10DPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2450pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 35.4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRFB59N10DPBF

IRFB59N10DPBF Packaging

IRFB59N10DPBF FAQ

1. How to order IRFB59N10DPBF on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that IRFB59N10DPBF is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFB59N10DPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFB59N10DPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFB59N10DPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IRFB59N10DPBF price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFB59N10DPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFB59N10DPBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IRFB59N10DPBF

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Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFB59N10DPBF)

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D# SP001560232

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: SP001560232)

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Rochester Electronics LLC

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2220

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MOSFET, N, 100V, 59A, TO-220

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100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

1100

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IRFB59N10DPBF

D# 38K2494

Infineon Technologies AG

MOSFET Transistor, N Channel, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

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IRFB59N10DPBF

D# NS-IRFB59N10DPBF

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IRFB59N10 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

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2220

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D# TMOSP12138

Infineon Technologies AG

N-CH 100V 59A 25mOhm TO220

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