Name: IRFH3707TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH3707TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (128 reviews)

IRFH3707TR2PBF

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Numero di parte	IRFH3707TR2PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
Scheda dati	IRFH3707TR2PBF Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	7.704 piece(s)
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Specifiche IRFH3707TR2PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 29A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (3x3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

Scheda tecnica IRFH3707TR2PBF

IRFH3707TR2PBF Packaging

IRFH3707TR2PBF FAQ

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3. Are the IRFH3707TR2PBF price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFH3707TR2PBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFH3707TR2PBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFH3707TR2PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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