Name: IRFH5303TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5303TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (83 reviews)

IRFH5303TR2PBF

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Numero di parte	IRFH5303TR2PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
Scheda dati	IRFH5303TR2PBF Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	7.884 piece(s)
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Specifiche IRFH5303TR2PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Ta), 82A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2190pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 49A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

Scheda tecnica IRFH5303TR2PBF

IRFH5303TR2PBF Packaging

IRFH5303TR2PBF FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFH5303TR2PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 23A, 3.6W, PQFN5X6

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RoHS: Compliant

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN

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VBsemi Electronics Co Ltd

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