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IRFIB6N60APBF

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Numero di parte IRFIB6N60APBF
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
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IRFIB6N60APBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
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Specifiche IRFIB6N60APBF

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs750 mOhm @ 3.3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Scheda tecnica IRFIB6N60APBF

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Packing
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IRFIB6N60APBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFIB6N60APBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRFIB6N60APBF price and inventory displayed accurate?
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MOSFET 600V N-CH HEXFET

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Power Field-EffectTransistor,15AI(D),20V,0.0082ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET,MS-012AA

730
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N CHANNEL MOSFET, 600V, 5.5A, TO-220FP, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:600V, Continuous Drain Current Id:5.5A, On Resistance Rds(on):0.75ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
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5.5 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP Vishay IRFIB6N60APBF, EA

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