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| Numero di parte | IRLR4343-701PBF |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.040 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 7 - mag 12 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | HEXFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRLR4343-701PBF |
International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRLR4343-701PBF D# IRLR4343-701PBF-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 26A IPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRLR4343-701PBF D# NS-IRLR4343-701PBF |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
9736 |
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