Name: IXFB120N50P2
Brand: IXYS
SKU: IXFB120N50P2
Availability: InStock
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IXFB120N50P2

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Numero di parte	IXFB120N50P2
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Scheda dati	IXFB120N50P2 Scheda dati
pacchetto	TO-264-3, TO-264AA
ECAD
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Specifiche IXFB120N50P2

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-264-3, TO-264AA
ECAD
Serie	HiPerFET?, PolarHV?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	19000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS264?
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA

Scheda tecnica IXFB120N50P2

IXFB120N50P2 Packaging

IXFB120N50P2 FAQ

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3. Are the IXFB120N50P2 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IXFB120N50P2

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MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264

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IXFB120N50P2

D# IXFB120N50P2-ND

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MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264

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IXFB120N50P2

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